机译:氮化时间对Si(111)衬底上生长的Gan结构性能的影响
机译:应力对直径150 mm的Si(111)衬底上生长的AIGaN / GaN高电子迁移率晶体管层的结构性能的影响
机译:GaN缓冲层厚度对等离子辅助分子束外延技术在Si(111)衬底上生长的AlGaN / GaN基高电子迁移率晶体管结构的结构和光学性能的影响
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:通过金属有机化学气相沉积法在c面GaN衬底上生长的富铝AlInN的结构特性
机译:等离子体辅助金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长AlxGa1-xN / GaN异质结构薄膜的微观结构和光学性质